BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies


infineonbsz0703lsdatasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
579+61.51 грн
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 579 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 46W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

Інші пропозиції BSZ0703LSATMA1 за ціною від 50.57 грн до 61.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsz0703lsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 50584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsz0703lsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsz0703lsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 29435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ0703LS_DataSheet-1770880.pdf MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 INFINEON 3097841.pdf Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 INFINEON 3097841.pdf Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 infineonbsz0703lsdatasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 50584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
579+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 infineonbsz0703lsdatasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
579+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 infineonbsz0703lsdatasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 29435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
579+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 Infineon_BSZ0703LS_DataSheet-1770880.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 3097841.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 3097841.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.