BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 914+ | 38.97 грн |
| 1000+ | 35.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
914 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 36W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm.
Інші пропозиції BSZ0704LSATMA1 за ціною від 32.04 грн до 38.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 79701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 78429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 44915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BSZ0704LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 36W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm |
на замовлення 9358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BSZ0704LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 36W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm |
на замовлення 9358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ0704LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 79701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 914+ | 38.97 грн |
| 1000+ | 35.96 грн |
| 10000+ | 32.04 грн |
| BSZ0704LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 78429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 914+ | 38.97 грн |
| 1000+ | 35.96 грн |
| 10000+ | 32.04 грн |
| BSZ0704LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 44915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSZ0704LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 9358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ0704LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 9358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)