BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 32.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ070N08LS5ATMA1 за ціною від 43.12 грн до 161.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 13225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V |
на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |