Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ070N08LS5ATMA1
BSZ070N08LS5ATMA1

BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції BSZ070N08LS5ATMA1 за ціною від 47.47 грн до 181.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.68 грн
10000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.00 грн
228+61.63 грн
233+58.16 грн
2000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.98 грн
20000+67.60 грн
30000+62.90 грн
40000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+95.85 грн
500+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 19205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.66 грн
10+113.04 грн
100+77.46 грн
500+58.42 грн
1000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 13225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.68 грн
10000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.00 грн
228+61.63 грн
233+58.16 грн
2000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+73.98 грн
20000+67.60 грн
30000+62.90 грн
40000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
367+95.85 грн
500+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 19205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.66 грн
10+113.04 грн
100+77.46 грн
500+58.42 грн
1000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 13225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ070N08LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.