Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ075N08NS5ATMA1
BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+62.08 грн
10000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSZ075N08NS5ATMA1 за ціною від 53.36 грн до 222.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON INFNS30010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.66 грн
500+61.39 грн
1000+54.41 грн
5000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON INFNS30010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.06 грн
10+82.23 грн
100+68.66 грн
500+61.39 грн
1000+54.41 грн
5000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ075N08NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 61571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.15 грн
10+111.05 грн
100+64.84 грн
500+57.80 грн
1000+54.34 грн
2500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 57871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.02 грн
10+138.13 грн
100+94.73 грн
500+71.49 грн
1000+65.90 грн
2000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 INFNS30010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+68.66 грн
500+61.39 грн
1000+54.41 грн
5000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 INFNS30010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.06 грн
10+82.23 грн
100+68.66 грн
500+61.39 грн
1000+54.41 грн
5000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon_BSZ075N08NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 61571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.15 грн
10+111.05 грн
100+64.84 грн
500+57.80 грн
1000+54.34 грн
2500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 57871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+222.02 грн
10+138.13 грн
100+94.73 грн
500+71.49 грн
1000+65.90 грн
2000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.