BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 161+ | 87.95 грн |
| 236+ | 60.13 грн |
| 238+ | 59.53 грн |
| 246+ | 55.53 грн |
| 326+ | 38.79 грн |
| 525+ | 23.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSZ086P03NS3EGATMA1 за ціною від 22.05 грн до 91.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V |
на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 165 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ086P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.19 грн |
| 10+ | 55.13 грн |
| 100+ | 36.32 грн |
| 500+ | 26.53 грн |
| 1000+ | 24.10 грн |
| 2000+ | 22.05 грн |
| BSZ086P03NS3EGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)