BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 19.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSZ086P03NS3EGATMA1 за ціною від 19.52 грн до 82.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V |
на замовлення 19214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 4841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |