Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ086P03NS3GATMA1
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz086p03ns3g_2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ086P03NS3GATMA1 за ціною від 17.31 грн до 93.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz086p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.88 грн
500+27.99 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ086P03NS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3360874.pdf MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 7066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.54 грн
10+53.50 грн
100+31.77 грн
500+24.77 грн
1000+20.55 грн
5000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON 1849741.html Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.99 грн
17+50.58 грн
100+34.88 грн
500+27.99 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz086p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+79.34 грн
172+70.94 грн
210+58.18 грн
224+52.70 грн
500+43.34 грн
1000+34.40 грн
5000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.65 грн
10+56.93 грн
100+37.46 грн
500+27.32 грн
1000+23.80 грн
2000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz086p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.