Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0902NSATMA1
BSZ0902NSATMA1

BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies

BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 48W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції BSZ0902NSATMA1 за ціною від 34.76 грн до 137.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+94.59 грн
155+90.78 грн
185+76.29 грн
250+68.82 грн
500+57.40 грн
1000+48.59 грн
3000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.16 грн
10+94.59 грн
25+90.78 грн
100+73.56 грн
250+63.72 грн
500+55.10 грн
1000+48.59 грн
3000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 Infineon Technologies BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.01 грн
10+83.68 грн
100+55.97 грн
500+41.37 грн
1000+37.78 грн
2000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 INFINEON INFNS27870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 INFINEON INFNS27870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 infineon-bsz0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf
BSZ0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+94.59 грн
155+90.78 грн
185+76.29 грн
250+68.82 грн
500+57.40 грн
1000+48.59 грн
3000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 infineon-bsz0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf
BSZ0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+111.16 грн
10+94.59 грн
25+90.78 грн
100+73.56 грн
250+63.72 грн
500+55.10 грн
1000+48.59 грн
3000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f
BSZ0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.01 грн
10+83.68 грн
100+55.97 грн
500+41.37 грн
1000+37.78 грн
2000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 INFNS27870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1 INFNS27870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0902NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.