BSZ0909NDXTMA1

BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies


217infineon-bsz0909nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258f240be0158f857.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
456+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 17W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-WISON-8.

Інші пропозиції BSZ0909NDXTMA1 за ціною від 65.25 грн до 131.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NDXTMA1 Виробник : Infineon Technologies 217infineon-bsz0909nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258f240be0158f857.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
456+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NDXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0909ND-DS-v02_00-EN-1128946.pdf MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.32 грн
10+116.75 грн
100+79.45 грн
500+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NDXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0909ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f857c3300399 Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.