BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 456+ | 67.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 17W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-WISON-8.
Інші пропозиції BSZ0909NDXTMA1 за ціною від 67.42 грн до 135.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ0909NDXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R |
на замовлення 6670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WISON-8 |
товару немає в наявності |