Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0909NSATMA1
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.77 грн
10000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції BSZ0909NSATMA1 за ціною від 10.90 грн до 62.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
811+15.27 грн
816+15.18 грн
975+12.71 грн
1095+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
798+15.52 грн
854+14.50 грн
856+14.47 грн
902+13.24 грн
1000+11.91 грн
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 798
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.81 грн
42+16.84 грн
43+16.63 грн
100+14.98 грн
250+13.84 грн
500+12.61 грн
1000+12.25 грн
3000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : INFINEON BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.12 грн
500+15.73 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : INFINEON BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.69 грн
25+33.87 грн
100+23.12 грн
500+15.73 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 41067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.06 грн
10+36.88 грн
100+23.90 грн
500+17.17 грн
1000+15.48 грн
2000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.