Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0909NSATMA1
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+11.09 грн
10000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції BSZ0909NSATMA1 за ціною від 12.37 грн до 58.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.33 грн
816+17.23 грн
975+14.42 грн
1095+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+17.62 грн
854+16.46 грн
856+16.42 грн
902+15.03 грн
1000+13.52 грн
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.87 грн
42+17.84 грн
43+17.62 грн
100+15.87 грн
250+14.66 грн
500+13.36 грн
1000+12.98 грн
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.50 грн
10+34.76 грн
100+22.53 грн
500+16.19 грн
1000+14.59 грн
2000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
811+17.33 грн
816+17.23 грн
975+14.42 грн
1095+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
798+17.62 грн
854+16.46 грн
856+16.42 грн
902+15.03 грн
1000+13.52 грн
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+18.87 грн
42+17.84 грн
43+17.62 грн
100+15.87 грн
250+14.66 грн
500+13.36 грн
1000+12.98 грн
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.50 грн
10+34.76 грн
100+22.53 грн
500+16.19 грн
1000+14.59 грн
2000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.