Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0909NSATMA1
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.44 грн
10000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції BSZ0909NSATMA1 за ціною від 10.13 грн до 60.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
811+15.01 грн
816+14.93 грн
975+12.50 грн
1095+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+15.18 грн
42+14.35 грн
43+14.17 грн
100+12.77 грн
250+11.79 грн
500+10.75 грн
1000+10.44 грн
3000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
798+15.26 грн
854+14.26 грн
856+14.22 грн
902+13.02 грн
1000+11.72 грн
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 798
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.49 грн
500+14.68 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.57 грн
27+31.29 грн
100+21.49 грн
500+14.68 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 41067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+35.85 грн
100+23.23 грн
500+16.69 грн
1000+15.05 грн
2000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.