Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0909NSATMA1
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції BSZ0909NSATMA1 за ціною від 12.43 грн до 72.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.40 грн
816+17.31 грн
975+14.49 грн
1095+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+17.70 грн
854+16.53 грн
856+16.49 грн
902+15.10 грн
1000+13.58 грн
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.96 грн
42+17.92 грн
43+17.70 грн
100+15.94 грн
250+14.73 грн
500+13.42 грн
1000+13.04 грн
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+42.97 грн
50+31.68 грн
100+26.29 грн
500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
811+17.40 грн
816+17.31 грн
975+14.49 грн
1095+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
798+17.70 грн
854+16.53 грн
856+16.49 грн
902+15.10 грн
1000+13.58 грн
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+18.96 грн
42+17.92 грн
43+17.70 грн
100+15.94 грн
250+14.73 грн
500+13.42 грн
1000+13.04 грн
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 3656bsz0909ns_rev2.0_updated.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a0.pdf
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSZ0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.00 грн
10+42.97 грн
50+31.68 грн
100+26.29 грн
500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.