Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0910LSATMA1
BSZ0910LSATMA1

BSZ0910LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz0910ls-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.28 грн
10000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0910LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ0910LSATMA1 за ціною від 12.76 грн до 66.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0910ls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.72 грн
10000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0910ls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+19.16 грн
33+18.68 грн
100+16.18 грн
250+14.83 грн
500+13.77 грн
1000+13.26 грн
3000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0910ls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
609+20.16 грн
675+18.17 грн
682+17.98 грн
707+16.72 грн
1000+14.90 грн
3000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : INFINEON 3049661.pdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.01 грн
500+20.81 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : INFINEON 3049661.pdf Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.62 грн
22+39.75 грн
100+26.01 грн
500+20.81 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ0910LS_DataSheet_v02_00_EN-1863774.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.16 грн
10+41.01 грн
100+24.26 грн
500+19.59 грн
1000+16.22 грн
2500+16.15 грн
5000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0910ls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.