Продукція > INFINEON > BSZ0911LSATMA1

BSZ0911LSATMA1 INFINEON

Infineon-BSZ0911LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720eb167a17ce3

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm

на замовлення 14651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSZ0911LSATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

Інші пропозиції BSZ0911LSATMA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	BSZ0911LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH <= 40V	на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	BSZ0911LSATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm	на замовлення 14651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Infineon_BSZ0911LS_DataSheet_v02_00_EN-1863867.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm

на замовлення 14651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.