BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 37.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSZ096N10LS5ATMA1 за ціною від 48.47 грн до 142.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
на замовлення 5672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 35945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |