BSZ096N10LS5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 62.63 грн |
| 500+ | 51.76 грн |
| 1000+ | 44.78 грн |
| 5000+ | 40.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ096N10LS5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ096N10LS5ATMA1 за ціною від 37.62 грн до 163.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 20996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon |
MV POWER MOS, TSDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |