BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies


BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ097N04LSGATMA1 за ціною від 17.55 грн до 49.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz097n04lsg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.92 грн
26+34.49 грн
100+28.56 грн
500+24.34 грн
1000+20.08 грн
5000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ097N04LS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360772.pdf MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 25798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.84 грн
11+32.94 грн
100+22.75 грн
500+20.96 грн
1000+18.79 грн
2500+18.48 грн
5000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.55 грн
10+35.34 грн
100+27.23 грн
500+24.04 грн
1000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.41 грн
35+33.38 грн
95+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565
Додати до обраних Обраний товар

BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.