Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c
Код товару: 170565
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSZ097N04LSGATMA1 за ціною від 18.04 грн до 108.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.71 грн
100+35.11 грн
500+27.18 грн
1000+21.50 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.64 грн
10+51.77 грн
100+34.04 грн
500+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ097N04LS_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.54 грн
10+66.38 грн
100+37.99 грн
500+29.88 грн
1000+25.51 грн
2500+23.19 грн
5000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+46.71 грн
100+35.11 грн
500+27.18 грн
1000+21.50 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.64 грн
10+51.77 грн
100+34.04 грн
500+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 Infineon_BSZ097N04LS_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.54 грн
10+66.38 грн
100+37.99 грн
500+29.88 грн
1000+25.51 грн
2500+23.19 грн
5000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.