BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 38.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSZ097N10NS5ATMA1 за ціною від 40.19 грн до 143.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ097N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ097N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V |
на замовлення 10073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSZ097N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40, Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9.7 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 69 @ 25°C, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TSDSON-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |