Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ097N10NS5ATMA1
BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSZ097N10NS5ATMA1 за ціною від 40.74 грн до 182.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.18 грн
250+64.30 грн
1000+51.46 грн
3000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.43 грн
50+67.18 грн
250+64.30 грн
1000+51.46 грн
3000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ097N10NS5_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.10 грн
10+97.27 грн
100+57.16 грн
500+45.60 грн
1000+42.85 грн
2500+41.37 грн
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 8718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.37 грн
10+112.70 грн
100+76.49 грн
500+57.22 грн
1000+52.54 грн
2000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d
BSZ097N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.18 грн
250+64.30 грн
1000+51.46 грн
3000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d
BSZ097N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+67.43 грн
50+67.18 грн
250+64.30 грн
1000+51.46 грн
3000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon_BSZ097N10NS5_DataSheet_v02_06_EN.pdf
BSZ097N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.10 грн
10+97.27 грн
100+57.16 грн
500+45.60 грн
1000+42.85 грн
2500+41.37 грн
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d
BSZ097N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 8718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+182.37 грн
10+112.70 грн
100+76.49 грн
500+57.22 грн
1000+52.54 грн
2000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.