Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0994NSATMA1
BSZ0994NSATMA1

BSZ0994NSATMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSZ0994NS_DataSheet_v02_01_EN-3360759.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.83 грн
10+55.20 грн
100+33.32 грн
500+26.71 грн
1000+22.68 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0994NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ0994NSATMA1 за ціною від 21.63 грн до 89.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0994NSATMA1 BSZ0994NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.71 грн
10+54.28 грн
100+35.74 грн
500+26.07 грн
1000+23.66 грн
2000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1 BSZ0994NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0994ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1 BSZ0994NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0994ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9 BSZ0994NS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1 BSZ0994NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.