Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ099N06LS5
BSZ099N06LS5

BSZ099N06LS5 Infineon Technologies

Infineon_BSZ099N06LS5_DataSheet_v02_04_EN-3361010.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ099N06LS5 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 29A, Power dissipation: 36W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.9nC, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції BSZ099N06LS5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ099N06LS5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ099N06LS5.pdf
BSZ099N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.