BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 18.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ099N06LS5ATMA1 за ціною від 20.00 грн до 101.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 151414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 12740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 27774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 151414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V |
на замовлення 24605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSZ099N06LS5ATMA1 Код товару: 165964
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |