Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ099N06LS5ATMA1

BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Name: BSZ099N06LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 21293147-5
Price: 90650 UAH
Availability: InStock

infineon-bsz099n06ls5-datasheet-v02_04-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	18.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ099N06LS5ATMA1 за ціною від 19.26 грн до 84.52 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-BSZ099N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e5d71c9f4f8e

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	44.19 грн
500+	29.95 грн
1000+	23.36 грн
5000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 12740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
174+	70.42 грн
205+	59.93 грн
216+	56.67 грн
228+	51.80 грн
500+	43.68 грн
1000+	31.80 грн
5000+	27.61 грн
10000+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 174

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 9675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	73.47 грн
10+	51.33 грн
100+	38.48 грн
500+	28.73 грн
1000+	25.18 грн
2000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	80.59 грн
15+	58.92 грн
100+	44.19 грн
500+	29.95 грн
1000+	23.36 грн
5000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSZ099N06LS5_DataSheet_v02_04_EN-3361010.pdf

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 31721 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	84.52 грн
10+	60.22 грн
25+	48.22 грн
100+	39.31 грн
250+	37.13 грн
500+	31.17 грн
1000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D63D1CCEA8143&compId=BSZ099N06LS5.pdf?ci_sign=b11d7fa82b54145d44aecd821201c4ee5bf74603

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.