Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ100N03LSGATMA1
BSZ100N03LSGATMA1

BSZ100N03LSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ100N03LSGATMA1 за ціною від 17.62 грн до 22.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ100N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4003e0a03f8 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ100N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4003e0a03f8 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.