Продукція > INFINEON > BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON

INFNS16241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+37.00 грн
500+25.96 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm.

Інші пропозиції BSZ100N03MSGATMA1 за ціною від 15.15 грн до 87.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ100N03MS G-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.93 грн
10+48.71 грн
100+27.84 грн
500+21.85 грн
1000+19.24 грн
2500+16.92 грн
5000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS16241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.99 грн
16+54.11 грн
100+37.00 грн
500+25.96 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 Infineon-BSZ100N03MS G-DataSheet-v02_01-EN.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.93 грн
10+48.71 грн
100+27.84 грн
500+21.85 грн
1000+19.24 грн
2500+16.92 грн
5000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 INFNS16241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+87.99 грн
16+54.11 грн
100+37.00 грн
500+25.96 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.