Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm.

Інші пропозиції BSZ100N03MSGATMA1 за ціною від 16.82 грн до 89.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+29.48 грн
529+26.94 грн
534+26.67 грн
573+23.98 грн
1000+19.87 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.86 грн
26+29.48 грн
100+25.98 грн
250+23.81 грн
500+21.32 грн
1000+19.07 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.90 грн
10+46.72 грн
50+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon_bsz100n03ms_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.59 грн
10+48.53 грн
100+31.37 грн
500+24.65 грн
1000+22.31 грн
2500+19.67 грн
5000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
483+29.48 грн
529+26.94 грн
534+26.67 грн
573+23.98 грн
1000+19.87 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.86 грн
26+29.48 грн
100+25.98 грн
250+23.81 грн
500+21.32 грн
1000+19.07 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.90 грн
10+46.72 грн
50+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 infineon_bsz100n03ms_g_datasheet_en.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.59 грн
10+48.53 грн
100+31.37 грн
500+24.65 грн
1000+22.31 грн
2500+19.67 грн
5000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.