BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.29 грн |
| 500+ | 15.75 грн |
| 1000+ | 14.27 грн |
| 5000+ | 14.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ100N03MSGATMA1 за ціною від 12.90 грн до 68.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |