Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ100N03MSGATMA1 за ціною від 11.74 грн до 53.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.60 грн
500+13.87 грн
1000+12.31 грн
5000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.55 грн
26+23.46 грн
100+20.67 грн
250+18.95 грн
500+16.96 грн
1000+15.18 грн
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
483+25.26 грн
529+23.08 грн
534+22.86 грн
573+20.55 грн
1000+17.02 грн
3000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 483
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.38 грн
11+29.27 грн
100+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.08 грн
22+37.80 грн
100+26.66 грн
500+20.15 грн
1000+15.85 грн
5000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ100N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360905.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 14938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.82 грн
10+38.49 грн
100+23.62 грн
500+19.20 грн
1000+16.33 грн
5000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.