BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,... Транзистори Корпус:
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 25.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,... Транзистори Корпус: , кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції BSZ100N06LS3 G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ100N06LS3 G | Infineon | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ100N06LS3 G |
Виробник: Infineon
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ100N06LS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.