BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsz100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.

Інші пропозиції BSZ100N06LS3GATMA1 за ціною від 29.38 грн до 29.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1 infineon-bsz100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.