BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSZ100N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cf112fd7173
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+21.61 грн
10000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSZ100N06NSATMA1 за ціною від 22.34 грн до 101.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ100N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cf112fd7173 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 11153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
10+49.56 грн
100+35.91 грн
500+26.81 грн
1000+24.06 грн
2000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ100N06NS-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.96 грн
10+60.63 грн
100+35.31 грн
500+28.40 грн
1000+25.73 грн
2500+24.25 грн
5000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 Infineon-BSZ100N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cf112fd7173
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 11153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.09 грн
10+49.56 грн
100+35.91 грн
500+26.81 грн
1000+24.06 грн
2000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 Infineon-BSZ100N06NS-DataSheet-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+101.96 грн
10+60.63 грн
100+35.31 грн
500+28.40 грн
1000+25.73 грн
2500+24.25 грн
5000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.