Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ100N06NSATMA1
BSZ100N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz100n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
678+52.55 грн
1000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 678 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ100N06NSATMA1 за ціною від 26.79 грн до 144.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 27386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.44 грн
10+77.27 грн
100+54.08 грн
500+42.64 грн
1000+33.49 грн
2500+31.83 грн
5000+29.45 грн
10000+28.70 грн
25000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 27386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.63 грн
183+78.10 грн
261+54.65 грн
500+43.10 грн
1000+33.85 грн
2500+32.18 грн
5000+29.77 грн
10000+29.01 грн
25000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon_bsz100n06ns_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+144.19 грн
10+67.11 грн
100+51.56 грн
500+40.52 грн
1000+34.66 грн
2500+31.08 грн
5000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 infineon-bsz100n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 27386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+111.44 грн
10+77.27 грн
100+54.08 грн
500+42.64 грн
1000+33.49 грн
2500+31.83 грн
5000+29.45 грн
10000+28.70 грн
25000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 infineon-bsz100n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 27386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+112.63 грн
183+78.10 грн
261+54.65 грн
500+43.10 грн
1000+33.85 грн
2500+32.18 грн
5000+29.77 грн
10000+29.01 грн
25000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 infineon_bsz100n06ns_datasheet_en.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.19 грн
10+67.11 грн
100+51.56 грн
500+40.52 грн
1000+34.66 грн
2500+31.08 грн
5000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 INFNS28724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.