Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ105N04NSGATMA2

BSZ105N04NSGATMA2 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 4145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSZ105N04NSGATMA2 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції BSZ105N04NSGATMA2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
BSZ105N04NSGATMA2	Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн.
BSZ105N04NSGATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн.
BSZ105N04NSGATMA2	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Infineon-BSZ105N04NSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c485c67f084e

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.