на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.41 грн |
| 10+ | 39.76 грн |
| 100+ | 25.82 грн |
| 500+ | 20.30 грн |
| 1000+ | 15.67 грн |
| 2500+ | 14.27 грн |
| 5000+ | 13.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ105N04NSGATMA2 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R.
Інші пропозиції BSZ105N04NSGATMA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ105N04NSGATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BSZ105N04NSGATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS 3 Power-Transistor |
товару немає в наявності |
|
| BSZ105N04NSGATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |