| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.65 грн |
| 10+ | 53.73 грн |
| 100+ | 30.77 грн |
| 500+ | 24.15 грн |
| 1000+ | 21.22 грн |
| 2500+ | 18.73 грн |
| 5000+ | 16.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ105N04NSGATMA2 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції BSZ105N04NSGATMA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH <= 40VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| BSZ105N04NSGATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ105N04NSGATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ105N04NSGATMA2 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ105N04NSGATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.