BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 21.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ110N06NS3GATMA1 за ціною від 19.56 грн до 91.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V |
на замовлення 6247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BSZ110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |