Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz110n06ns3_rev2.1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
348+40.69 грн
355+39.88 грн
405+35.00 грн
407+33.56 грн
500+28.99 грн
1000+23.51 грн
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ110N06NS3GATMA1 за ціною від 23.43 грн до 82.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz110n06ns3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.10 грн
19+40.69 грн
25+39.88 грн
100+33.75 грн
250+31.07 грн
500+27.83 грн
1000+23.51 грн
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.92 грн
10+50.22 грн
100+33.11 грн
500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 bsz110n06ns3_rev2.1.pdf
BSZ110N06NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.10 грн
19+40.69 грн
25+39.88 грн
100+33.75 грн
250+31.07 грн
500+27.83 грн
1000+23.51 грн
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
BSZ110N06NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.92 грн
10+50.22 грн
100+33.11 грн
500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
BSZ110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.