BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 634+ | 19.44 грн |
| 658+ | 18.73 грн |
| 1000+ | 18.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSZ110N08NS5ATMA1 за ціною від 20.93 грн до 110.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 25952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 |
на замовлення 12796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
на замовлення 24680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
товару немає в наявності |