BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
634+22.27 грн
658+21.46 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ110N08NS5ATMA1 за ціною від 32.77 грн до 144.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.24 грн
15000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 25952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.50 грн
225+62.92 грн
256+55.27 грн
267+51.03 грн
500+44.63 грн
1000+40.63 грн
5000+36.29 грн
10000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
на замовлення 19999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.08 грн
10+88.18 грн
50+66.28 грн
100+55.57 грн
500+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ110N08NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON INFNS30012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.24 грн
15000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 infineon-bsz110n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 25952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+71.50 грн
225+62.92 грн
256+55.27 грн
267+51.03 грн
500+44.63 грн
1000+40.63 грн
5000+36.29 грн
10000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
на замовлення 19999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.08 грн
10+88.18 грн
50+66.28 грн
100+55.57 грн
500+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon_BSZ110N08NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 INFNS30012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.