BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 634+ | 23.11 грн |
| 658+ | 22.27 грн |
| 1000+ | 21.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
634 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.011 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Інші пропозиції BSZ110N08NS5ATMA1 за ціною від 27.31 грн до 143.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 25952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 |
на замовлення 11231 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.011 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ110N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 43.75 грн |
| BSZ110N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 25952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 74.21 грн |
| 225+ | 65.31 грн |
| 256+ | 57.37 грн |
| 267+ | 52.97 грн |
| 500+ | 46.32 грн |
| 1000+ | 42.17 грн |
| 5000+ | 37.66 грн |
| 10000+ | 35.68 грн |
| BSZ110N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.23 грн |
| 10+ | 65.24 грн |
| 100+ | 43.64 грн |
| 500+ | 35.81 грн |
| 1000+ | 32.13 грн |
| 2500+ | 31.60 грн |
| 5000+ | 27.31 грн |
| BSZ110N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.62 грн |
| 10+ | 87.72 грн |
| 50+ | 65.97 грн |
| 100+ | 55.32 грн |
| BSZ110N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.011 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.011 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ110N08NS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)