Продукція > INFINEON > BSZ120P03NS3GATMA1
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON

INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.58 грн
500+29.17 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSZ120P03NS3GATMA1 за ціною від 13.74 грн до 106.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ120P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.51 грн
10+37.77 грн
100+24.32 грн
500+19.24 грн
1000+16.21 грн
2500+15.58 грн
5000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.81 грн
10+53.60 грн
100+35.03 грн
500+25.38 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
13+66.44 грн
100+43.58 грн
500+29.17 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon-BSZ120P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.51 грн
10+37.77 грн
100+24.32 грн
500+19.24 грн
1000+16.21 грн
2500+15.58 грн
5000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.81 грн
10+53.60 грн
100+35.03 грн
500+25.38 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.08 грн
13+66.44 грн
100+43.58 грн
500+29.17 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.