Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ120P03NS3GATMA1
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz120p03ns3g_21.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ120P03NS3GATMA1 за ціною від 13.57 грн до 77.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.70 грн
10000+15.29 грн
15000+14.68 грн
25000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.27 грн
500+31.99 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+62.72 грн
232+53.28 грн
273+45.17 грн
288+41.28 грн
500+33.00 грн
1000+27.45 грн
5000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ120P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.33 грн
10+40.73 грн
100+26.22 грн
500+20.75 грн
1000+17.48 грн
2500+16.80 грн
5000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 32180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.17 грн
10+44.18 грн
100+28.91 грн
500+20.95 грн
1000+17.95 грн
2000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.33 грн
14+64.97 грн
100+41.27 грн
500+31.99 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz120p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A54B51EC71CC&compId=BSZ120P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=e0c32f32dc5dbc17c7be9bd8360258dbaa5dcb5d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.