Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ123N08NS3GATMA1
BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ123N08NS3G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e5ec96fdc0a00
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ123N08NS3GATMA1 за ціною від 35.46 грн до 124.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ123N08NS3G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e5ec96fdc0a00 Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 36285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.70 грн
10+76.64 грн
100+51.60 грн
500+38.35 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS16245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS16245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 bsz123n08ns3g_rev21.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ddc9372011e5ec96.pdf
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e5ec96fdc0a00
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 36285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.70 грн
10+76.64 грн
100+51.60 грн
500+38.35 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 INFNS16245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 INFNS16245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.