BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 26.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ123N08NS3GATMA1 за ціною від 33.38 грн до 135.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 23331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V |
на замовлення 36285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |