Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.74 грн
100+58.60 грн
500+43.66 грн
1000+40.02 грн
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSZ12DN20NS3GATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.