Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz12dn20ns3rev2.1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ12DN20NS3GATMA1 за ціною від 35.87 грн до 138.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.00 грн
158+89.21 грн
187+75.16 грн
200+68.53 грн
500+63.25 грн
1000+54.90 грн
2000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+113.68 грн
134+105.19 грн
160+87.95 грн
250+79.13 грн
500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.01 грн
10+84.20 грн
100+56.88 грн
500+42.39 грн
1000+38.85 грн
2000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.56 грн
10+113.68 грн
25+105.19 грн
100+84.81 грн
250+73.27 грн
500+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 INFINEON BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 INFINEON BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 bsz12dn20ns3rev2.1.pdf
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 bsz12dn20ns3rev2.1.pdf
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 bsz12dn20ns3rev2.1.pdf
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+96.00 грн
158+89.21 грн
187+75.16 грн
200+68.53 грн
500+63.25 грн
1000+54.90 грн
2000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 bsz12dn20ns3rev2.1.pdf
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+113.68 грн
134+105.19 грн
160+87.95 грн
250+79.13 грн
500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.01 грн
10+84.20 грн
100+56.88 грн
500+42.39 грн
1000+38.85 грн
2000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 bsz12dn20ns3rev2.1.pdf
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+138.56 грн
10+113.68 грн
25+105.19 грн
100+84.81 грн
250+73.27 грн
500+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.