BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies


bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ12DN20NS3GATMA1 за ціною від 37.50 грн до 143.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.79 грн
500+56.51 грн
1000+40.07 грн
5000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+83.37 грн
158+77.48 грн
187+65.28 грн
200+59.52 грн
500+54.93 грн
1000+47.67 грн
2000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+98.73 грн
134+91.35 грн
160+76.38 грн
250+68.72 грн
500+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+111.74 грн
10+91.68 грн
25+84.83 грн
100+68.39 грн
250+59.09 грн
500+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.55 грн
10+98.50 грн
100+71.79 грн
500+56.51 грн
1000+40.07 грн
5000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.28 грн
10+88.06 грн
100+59.48 грн
500+44.33 грн
1000+40.63 грн
2000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.