Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ130N03LSGATMA1
BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1 Infineon Technologies

bsz130n03ls_rev1.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ130N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ130N03LSGATMA1 за ціною від 13.42 грн до 68.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.71 грн
10000+14.00 грн
15000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03ls_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.43 грн
10000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03ls_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.86 грн
10000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03ls_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.96 грн
20+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 27529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.71 грн
10+41.51 грн
100+26.95 грн
500+19.41 грн
1000+17.52 грн
2000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03ls_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03ls_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc BSZ130N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.