Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies

bsz130n03msg_rev1.5.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ130N03MSGATMA1 за ціною від 13.62 грн до 84.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
657+18.55 грн
663+18.36 грн
670+18.18 грн
677+17.35 грн
1000+15.68 грн
3000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 657
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321 Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+19.41 грн
35+17.22 грн
100+16.44 грн
250+15.07 грн
500+14.32 грн
1000+13.98 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+24.45 грн
500+24.34 грн
561+21.71 грн
1000+20.15 грн
2000+18.57 грн
5000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321 Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.71 грн
23+37.21 грн
100+28.65 грн
500+22.55 грн
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321 Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 13775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.95 грн
10+51.68 грн
100+33.97 грн
500+24.72 грн
1000+22.42 грн
2000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.