Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies

bsz130n03msg_rev1.5.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
657+21.60 грн
663+21.39 грн
670+21.17 грн
677+20.21 грн
1000+18.26 грн
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ130N03MSGATMA1 за ціною від 17.08 грн до 69.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.34 грн
35+21.60 грн
100+20.62 грн
250+18.90 грн
500+17.97 грн
1000+17.53 грн
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies bsz130n03msg_rev1.5.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.47 грн
500+28.35 грн
561+25.28 грн
1000+23.46 грн
2000+21.63 грн
5000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321 Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.51 грн
100+27.13 грн
500+19.64 грн
1000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 INFINEON BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321 Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 bsz130n03msg_rev1.5.pdf
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 bsz130n03msg_rev1.5.pdf
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 bsz130n03msg_rev1.5.pdf
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+24.34 грн
35+21.60 грн
100+20.62 грн
250+18.90 грн
500+17.97 грн
1000+17.53 грн
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 bsz130n03msg_rev1.5.pdf
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
498+28.47 грн
500+28.35 грн
561+25.28 грн
1000+23.46 грн
2000+21.63 грн
5000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.12 грн
10+41.51 грн
100+27.13 грн
500+19.64 грн
1000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.