BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 356+ | 60.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ146N10LS5ATMA1 за ціною від 34.39 грн до 99.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
на замовлення 107283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 40A; 52W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: N Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 52W Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BSZ146N10LS5ATMA1 Код товару: 208437
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |