BSZ150N10LS3G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 136.39 грн |
| 108+ | 131.76 грн |
| 250+ | 127.77 грн |
| 500+ | 119.85 грн |
| 1000+ | 108.26 грн |
| 2500+ | 101.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ150N10LS3G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 63W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 26nC, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Інші пропозиції BSZ150N10LS3G за ціною від 69.41 грн до 159.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ150N10LS3G | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ150N10LS3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 |
на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSZ150N10LS3G | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ150N10LS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 63W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 5005 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSZ150N10LS3G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 159.51 грн |
| 92+ | 153.44 грн |
| 100+ | 148.23 грн |
| 250+ | 138.60 грн |
| 500+ | 124.84 грн |
| 1000+ | 116.92 грн |
| 2500+ | 114.34 грн |
| 5000+ | 112.06 грн |
| BSZ150N10LS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSZ150N10LS3G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ150N10LS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 135.83 грн |
| 50+ | 87.19 грн |
| 100+ | 82.11 грн |
| 300+ | 78.73 грн |
| 500+ | 70.26 грн |
| 1000+ | 69.41 грн |