BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ150N10LS3GATMA1 за ціною від 34.07 грн до 156.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+63.65 грн
201+63.28 грн
239+53.21 грн
250+50.63 грн
500+42.07 грн
1000+39.25 грн
3000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.92 грн
11+68.19 грн
25+67.80 грн
100+54.97 грн
250+50.23 грн
500+43.27 грн
1000+42.05 грн
3000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+78.96 грн
500+71.07 грн
1000+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+78.96 грн
500+71.07 грн
1000+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 48440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+78.96 грн
500+71.07 грн
1000+65.54 грн
10000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+87.21 грн
182+69.85 грн
200+69.26 грн
500+56.83 грн
1000+51.48 грн
2000+41.88 грн
5000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.73 грн
250+73.05 грн
1000+51.51 грн
3000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.20 грн
50+103.73 грн
250+73.05 грн
1000+51.51 грн
3000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.82 грн
10+96.48 грн
100+65.41 грн
500+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.