Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ150N10LS3GATMA1
BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ150N10LS3GATMA1 за ціною від 41.48 грн до 153.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.24 грн
11+60.43 грн
25+60.13 грн
100+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+64.72 грн
223+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.83 грн
250+66.71 грн
1000+50.39 грн
3000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.97 грн
50+79.83 грн
250+66.71 грн
1000+50.39 грн
3000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ150N10LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361011.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 25951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.10 грн
10+94.59 грн
100+57.88 грн
250+57.50 грн
500+47.92 грн
1000+44.90 грн
2500+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.46 грн
10+94.64 грн
100+64.12 грн
500+47.93 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.