Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ150N10LS3GATMA1
BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+46.60 грн
10000+42.17 грн
15000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSZ150N10LS3GATMA1 за ціною від 40.37 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.10 грн
201+70.40 грн
236+60.07 грн
250+57.34 грн
500+48.67 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.57 грн
11+71.10 грн
25+70.40 грн
100+57.93 грн
250+53.10 грн
500+46.72 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.24 грн
10+107.97 грн
100+73.04 грн
500+54.52 грн
1000+50.01 грн
2000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 12759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.79 грн
10+110.23 грн
100+64.84 грн
500+52.58 грн
1000+47.15 грн
2500+44.05 грн
5000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
199+71.10 грн
201+70.40 грн
236+60.07 грн
250+57.34 грн
500+48.67 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 infineon-bsz150n10ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.57 грн
11+71.10 грн
25+70.40 грн
100+57.93 грн
250+53.10 грн
500+46.72 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.24 грн
10+107.97 грн
100+73.04 грн
500+54.52 грн
1000+50.01 грн
2000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon-BSZ150N10LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 12759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.79 грн
10+110.23 грн
100+64.84 грн
500+52.58 грн
1000+47.15 грн
2500+44.05 грн
5000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.