Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ15DC02KDHXTMA1
BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BSZ15DC02KDHXTMA1 за ціною від 37.30 грн до 140.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.37 грн
171+82.50 грн
201+69.92 грн
250+65.52 грн
500+52.26 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+91.44 грн
162+87.23 грн
181+77.86 грн
200+72.14 грн
500+66.59 грн
1000+59.61 грн
2000+57.10 грн
5000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.33 грн
10+86.37 грн
25+82.50 грн
100+67.42 грн
250+60.67 грн
500+50.17 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.09 грн
10+85.31 грн
100+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ15DC02KD_H_DataSheet_v02_03_EN-3360961.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+86.37 грн
171+82.50 грн
201+69.92 грн
250+65.52 грн
500+52.26 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+91.44 грн
162+87.23 грн
181+77.86 грн
200+72.14 грн
500+66.59 грн
1000+59.61 грн
2000+57.10 грн
5000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.33 грн
10+86.37 грн
25+82.50 грн
100+67.42 грн
250+60.67 грн
500+50.17 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.09 грн
10+85.31 грн
100+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon_BSZ15DC02KD_H_DataSheet_v02_03_EN-3360961.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.