BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 32.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ15DC02KDHXTMA1 за ціною від 29.60 грн до 99.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |