Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ15DC02KDHXTMA1
BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies

BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BSZ15DC02KDHXTMA1 за ціною від 38.82 грн до 139.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+90.05 грн
171+86.01 грн
201+72.90 грн
250+68.31 грн
500+54.48 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+95.34 грн
162+90.94 грн
181+81.18 грн
200+75.22 грн
500+69.43 грн
1000+62.15 грн
2000+59.53 грн
5000+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.86 грн
10+90.05 грн
25+86.01 грн
100+70.29 грн
250+63.25 грн
500+52.30 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.66 грн
10+85.66 грн
50+64.38 грн
100+53.96 грн
500+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+90.05 грн
171+86.01 грн
201+72.90 грн
250+68.31 грн
500+54.48 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+95.34 грн
162+90.94 грн
181+81.18 грн
200+75.22 грн
500+69.43 грн
1000+62.15 грн
2000+59.53 грн
5000+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+110.86 грн
10+90.05 грн
25+86.01 грн
100+70.29 грн
250+63.25 грн
500+52.30 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.66 грн
10+85.66 грн
50+64.38 грн
100+53.96 грн
500+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.