BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies


infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ15DC02KDHXTMA1 за ціною від 30.55 грн до 99.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : INFINEON INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.35 грн
500+49.80 грн
1000+35.30 грн
5000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+75.73 грн
171+72.33 грн
201+61.31 грн
250+57.45 грн
500+45.82 грн
1000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+80.18 грн
162+76.48 грн
181+68.27 грн
200+63.26 грн
500+58.39 грн
1000+52.27 грн
2000+50.06 грн
5000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.84 грн
10+63.89 грн
100+47.64 грн
500+37.05 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ15DC02KD_H_DataSheet_v02_03_EN-3360961.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.43 грн
10+68.35 грн
25+59.28 грн
100+45.98 грн
250+45.91 грн
500+38.84 грн
1000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : INFINEON INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.90 грн
14+65.05 грн
100+57.04 грн
500+44.34 грн
1000+36.76 грн
5000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.90 грн
10+81.14 грн
25+77.50 грн
100+63.34 грн
250+57.00 грн
500+47.13 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.