Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ160N10NS3GATMA1
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSZ160N10NS3GATMA1 за ціною від 40.62 грн до 142.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.30 грн
10000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.30 грн
10000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+117.66 грн
122+115.46 грн
166+85.02 грн
250+81.17 грн
500+60.73 грн
1000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370 Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 5038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.78 грн
10+84.87 грн
100+57.44 грн
500+42.89 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.69 грн
10+117.66 грн
25+115.46 грн
100+81.98 грн
250+75.15 грн
500+58.30 грн
1000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ160N10NS3 G-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON 2060043.pdf Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON 2060043.pdf Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.30 грн
10000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.30 грн
10000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+117.66 грн
122+115.46 грн
166+85.02 грн
250+81.17 грн
500+60.73 грн
1000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 5038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.78 грн
10+84.87 грн
100+57.44 грн
500+42.89 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.69 грн
10+117.66 грн
25+115.46 грн
100+81.98 грн
250+75.15 грн
500+58.30 грн
1000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon-BSZ160N10NS3 G-DS-v02_01-EN.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 2060043.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 2060043.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.