BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies


bsz16dn25ns3rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ16DN25NS3GATMA1 за ціною від 47.99 грн до 172.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.27 грн
500+61.85 грн
1000+48.90 грн
5000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+128.82 грн
102+119.69 грн
120+101.43 грн
200+92.62 грн
500+85.49 грн
1000+74.16 грн
2000+69.90 грн
5000+68.16 грн
10000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.19 грн
10+112.79 грн
100+87.27 грн
500+61.85 грн
1000+48.90 грн
5000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.13 грн
10+103.59 грн
100+78.31 грн
500+59.05 грн
1000+53.10 грн
2000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ16DN25NS3_DS_v02_02_en-1226509.pdf MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.96 грн
10+118.16 грн
25+95.41 грн
100+78.53 грн
250+77.06 грн
500+62.24 грн
1000+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.