BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 148.69 грн |
| 102+ | 138.15 грн |
| 120+ | 117.08 грн |
| 200+ | 106.91 грн |
| 500+ | 98.68 грн |
| 1000+ | 85.60 грн |
| 2000+ | 80.68 грн |
| 5000+ | 78.67 грн |
| 10000+ | 76.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ16DN25NS3GATMA1 за ціною від 54.74 грн до 154.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSONInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 33097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 33097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.72 грн |
| 10+ | 97.25 грн |
| 100+ | 72.60 грн |
| 500+ | 54.86 грн |
| 1000+ | 54.74 грн |
| BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ16DN25NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)