Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ180P03NS3GATMA1
BSZ180P03NS3GATMA1

BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz180p03ns3g_21.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ180P03NS3GATMA1 за ціною від 17.49 грн до 70.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz180p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz180p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON 2820325.pdf Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.98 грн
250+30.80 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON 2820325.pdf Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.43 грн
50+36.98 грн
250+30.80 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ180P03NS3_G_DS_v02_01_en-1731291.pdf MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.98 грн
10+45.61 грн
25+36.69 грн
100+27.09 грн
500+22.62 грн
1000+19.05 грн
2500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+43.56 грн
100+29.72 грн
500+22.61 грн
1000+19.59 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz180p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+70.25 грн
273+44.74 грн
319+38.34 грн
337+35.01 грн
500+30.32 грн
1000+27.37 грн
2000+25.80 грн
5000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz180p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz180p03ns3g_21.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A83237A3D1CC&compId=BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf?ci_sign=304a2011c07782bc019c3f0265e7929ef67a4796 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A83237A3D1CC&compId=BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf?ci_sign=304a2011c07782bc019c3f0265e7929ef67a4796 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.