Інші пропозиції BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G) за ціною від 16.88 грн до 88.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
на замовлення 7639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSZ180P03NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.42 грн |
| 10+ | 41.94 грн |
| 100+ | 28.61 грн |
| 500+ | 21.77 грн |
| 1000+ | 18.86 грн |
| 2000+ | 17.95 грн |
| BSZ180P03NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.40 грн |
| 10+ | 54.26 грн |
| 100+ | 31.00 грн |
| 500+ | 24.31 грн |
| 1000+ | 21.35 грн |
| 2500+ | 18.80 грн |
| 5000+ | 16.88 грн |