BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 288+ | 50.05 грн |
| 315+ | 45.76 грн |
| 317+ | 45.52 грн |
| 500+ | 35.75 грн |
| 1000+ | 30.92 грн |
| 5000+ | 26.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
288 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ340N08NS3GATMA1 за ціною від 48.43 грн до 74.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 77601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSZ340N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 51.99 грн |
| BSZ340N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 74.35 грн |
| 12+ | 65.62 грн |
| 25+ | 64.97 грн |
| 100+ | 48.43 грн |
| BSZ340N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ340N08NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)