BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BSZ42DN25NS3GATMA1 за ціною від 31.36 грн до 122.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V |
на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 13057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSZ42DN25NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.05 грн |
| 10+ | 53.91 грн |
| 100+ | 42.35 грн |
| 500+ | 37.28 грн |
| 1000+ | 34.10 грн |
| 2000+ | 34.09 грн |
| BSZ42DN25NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 13057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.48 грн |
| 10+ | 68.49 грн |
| 100+ | 42.22 грн |
| 500+ | 35.95 грн |
| 1000+ | 32.35 грн |
| 2500+ | 32.28 грн |
| 5000+ | 31.36 грн |
| BSZ42DN25NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 122.66 грн |