BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.52 грн |
| 10+ | 46.24 грн |
| 25+ | 38.94 грн |
| 100+ | 38.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSZ440N10NS3GATMA1 за ціною від 15.86 грн до 84.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 49586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V |
на замовлення 6182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSZ440N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 49586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.53 грн |
| 10+ | 51.39 грн |
| 100+ | 29.39 грн |
| 500+ | 22.77 грн |
| 1000+ | 18.89 грн |
| 5000+ | 16.42 грн |
| 10000+ | 15.86 грн |
| BSZ440N10NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.84 грн |
| 10+ | 51.23 грн |
| 100+ | 33.65 грн |
| 500+ | 24.50 грн |
| 1000+ | 22.22 грн |
| 2000+ | 20.31 грн |