BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 15010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 32.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ520N15NS3GATMA1 за ціною від 37.60 грн до 147.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 25613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 24890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V |
на замовлення 10618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSZ520N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 57W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |