Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ520N15NS3GATMA1
BSZ520N15NS3GATMA1

BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz520n15ns3rev2.2.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a0dd6.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ520N15NS3GATMA1 за ціною від 35.58 грн до 130.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz520n15ns3rev2.2.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a0dd6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz520n15ns3rev2.2.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a0dd6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ520N15NS3_DS_v02_02_en-1226312.pdf MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 42976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.39 грн
10+83.12 грн
100+55.35 грн
250+53.04 грн
500+45.95 грн
1000+42.44 грн
2500+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz520n15ns3rev2.2.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a0dd6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+120.18 грн
103+119.02 грн
133+92.51 грн
250+88.31 грн
500+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.33 грн
10+87.86 грн
100+64.60 грн
500+49.03 грн
1000+39.16 грн
5000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz520n15ns3rev2.2.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a0dd6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.71 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz520n15ns3rev2.2.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a0dd6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+125.89 грн
10+111.60 грн
25+110.52 грн
100+82.83 грн
250+75.93 грн
500+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0dd612226c Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.72 грн
10+87.65 грн
100+62.95 грн
500+47.78 грн
1000+42.77 грн
2000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz520n15ns3rev2.2.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a0dd6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC3ECE7EAA411C&compId=BSZ520N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=4334bb1e8d31b9ce8d1cb4da0d0f9340350c816c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0dd612226c Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC3ECE7EAA411C&compId=BSZ520N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=4334bb1e8d31b9ce8d1cb4da0d0f9340350c816c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.