BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSZ900N15NS3GATMA1 за ціною від 29.68 грн до 129.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V |
на замовлення 12435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 16356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3066 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |