BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies


BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+40.52 грн
10000+36.59 грн
15000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSZ900N15NS3GATMA1 за ціною від 32.56 грн до 156.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ900N15NS3_DS_v02_01_en-1226588.pdf MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.74 грн
10+64.11 грн
100+43.14 грн
500+37.00 грн
1000+33.69 грн
5000+32.84 грн
25000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 23706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.21 грн
10+95.67 грн
100+64.34 грн
500+47.77 грн
1000+43.72 грн
2000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon_BSZ900N15NS3_DS_v02_01_en-1226588.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.74 грн
10+64.11 грн
100+43.14 грн
500+37.00 грн
1000+33.69 грн
5000+32.84 грн
25000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 23706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+156.21 грн
10+95.67 грн
100+64.34 грн
500+47.77 грн
1000+43.72 грн
2000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.