Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ900N15NS3GATMA1
BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.56 грн
15000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ900N15NS3GATMA1 за ціною від 26.08 грн до 140.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.92 грн
167+84.76 грн
192+73.70 грн
202+67.82 грн
1000+57.42 грн
2000+52.45 грн
5000+51.42 грн
10000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.19 грн
50+40.25 грн
100+33.53 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.95 грн
118+120.30 грн
148+96.19 грн
250+88.35 грн
500+70.18 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.73 грн
10+125.95 грн
25+120.30 грн
100+92.76 грн
250+81.80 грн
500+67.37 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon_bsz900n15ns3_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 20203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 bsz900n15ns3rev2.1_.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.92 грн
167+84.76 грн
192+73.70 грн
202+67.82 грн
1000+57.42 грн
2000+52.45 грн
5000+51.42 грн
10000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.14 грн
10+54.19 грн
50+40.25 грн
100+33.53 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 bsz900n15ns3rev2.1_.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.95 грн
118+120.30 грн
148+96.19 грн
250+88.35 грн
500+70.18 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 bsz900n15ns3rev2.1_.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+140.73 грн
10+125.95 грн
25+120.30 грн
100+92.76 грн
250+81.80 грн
500+67.37 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 infineon_bsz900n15ns3_ds_en.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 20203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.