Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ900N15NS3GATMA1
BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz900n15ns3rev2.1_.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.72 грн
167+84.57 грн
192+73.53 грн
202+67.67 грн
1000+57.30 грн
2000+52.34 грн
5000+51.30 грн
10000+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSZ900N15NS3GATMA1 за ціною від 26.33 грн до 140.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.98 грн
10+54.70 грн
50+40.62 грн
100+33.84 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.67 грн
118+120.04 грн
148+95.98 грн
250+88.15 грн
500+70.02 грн
1000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsz900n15ns3rev2.1_.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.41 грн
10+125.67 грн
25+120.04 грн
100+92.55 грн
250+81.62 грн
500+67.22 грн
1000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ900N15NS3_DS_v02_01_en-1226588.pdf MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.98 грн
10+54.70 грн
50+40.62 грн
100+33.84 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 bsz900n15ns3rev2.1_.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.67 грн
118+120.04 грн
148+95.98 грн
250+88.15 грн
500+70.02 грн
1000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 bsz900n15ns3rev2.1_.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+140.41 грн
10+125.67 грн
25+120.04 грн
100+92.55 грн
250+81.62 грн
500+67.22 грн
1000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon_BSZ900N15NS3_DS_v02_01_en-1226588.pdf
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
BSZ900N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.