Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz900n20ns3rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ900N20NS3GATMA1 за ціною від 40.53 грн до 132.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+69.40 грн
10000+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+74.73 грн
10000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.57 грн
500+64.52 грн
1000+54.55 грн
5000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.32 грн
10+84.86 грн
13+70.33 грн
35+66.51 грн
250+65.75 грн
500+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.55 грн
10+90.56 грн
100+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.23 грн
10+85.01 грн
100+57.38 грн
500+43.18 грн
1000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ900N20NS3_DS_v02_02_en-1731283.pdf MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.15 грн
10+106.34 грн
100+70.31 грн
250+67.96 грн
500+56.22 грн
1000+48.88 грн
2500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.39 грн
10+105.75 грн
13+84.40 грн
35+79.81 грн
250+78.90 грн
500+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.