Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+46.72 грн
10000+42.28 грн
15000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.

Інші пропозиції BSZ900N20NS3GATMA1 за ціною від 34.89 грн до 176.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ900N20NS3_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.84 грн
10+88.35 грн
100+54.55 грн
500+43.98 грн
1000+37.43 грн
2500+36.86 грн
5000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS16249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
10+97.85 грн
100+68.83 грн
500+51.23 грн
1000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 30262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.03 грн
10+108.20 грн
100+73.21 грн
500+54.65 грн
1000+50.13 грн
2000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon_BSZ900N20NS3_DS_v02_02_en.pdf
BSZ900N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.84 грн
10+88.35 грн
100+54.55 грн
500+43.98 грн
1000+37.43 грн
2500+36.86 грн
5000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 INFNS16249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ900N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
10+97.85 грн
100+68.83 грн
500+51.23 грн
1000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b
BSZ900N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 30262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.03 грн
10+108.20 грн
100+73.21 грн
500+54.65 грн
1000+50.13 грн
2000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.