
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 24.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BT139-600,127 Ween
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT139-600,127 - Triac, 600 V, 16 A, TO-220AB, 1 V, 170 A, 45 mA, tariffCode: 85413000, Bauform - Triac: TO-220AB, rohsCompliant: Y-EX, Haltestrom, max.: 45mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 170A, Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, RMS-Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Zündspannung, max.: 1V, Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BT139, productTraceability: No, Thyristormontage: Durchsteckmontage, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BT139-600,127 за ціною від 25.45 грн до 107.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
на замовлення 4088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
на замовлення 3976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Case: TO220AB Gate current: 35/70mA Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 155A Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Case: TO220AB Gate current: 35/70mA Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 155A Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 675 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 45mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 170A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BT139 productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 45 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 155A, 170A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A Voltage - Off State: 600 V |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BT139-600,127 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BT139-600.127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Case: TO220AB Gate current: 35/70mA Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 155A Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q |
товару немає в наявності |