BTS115ANKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 64+ | 331.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS115ANKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BTS115ANKSA1 за ціною від 374.60 грн до 448.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BTS115ANKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 50V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BTS115ANKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 50V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BTS115ANKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS115ANKSA1 - BTS115 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
BTS115ANKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 50V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BTS115ANKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |