
BTS131E3045ANTMA1 Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
41+ | 568.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS131E3045ANTMA1 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 75W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BTS131E3045ANTMA1 за ціною від 594.42 грн до 594.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BTS131E3045ANTMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
BTS131E3045ANTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |