BTS240AHKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 50V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-218 Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 1362.49 грн |
| 100+ | 1294.13 грн |
| 500+ | 1225.77 грн |
| 1000+ | 1117.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS240AHKSA1 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO218-3-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 170W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-218-3, Packaging: Bulk, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції BTS240AHKSA1 за ціною від 939.32 грн до 939.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BTS240AHKSA1 | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO218-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 170W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 12772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| BTS240AHKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS240AHKSA1 - BTS240 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. |
| BTS240AHKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-218-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-218-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 939.32 грн |
| BTS240AHKSA1 |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS240AHKSA1 - BTS240 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS240AHKSA1 - BTS240 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


