BTS244ZE3062AATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
на замовлення 31454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 216.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS244ZE3062AATMA1 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BTS244ZE3062AATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BTS244ZE3062AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R |
товару немає в наявності |