Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BTS244ZE3062AATMA2
BTS244ZE3062AATMA2

BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+197.58 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), FET Feature: Temperature Sensing Diode, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Packaging: Tape & Reel (TR), Grade: Automotive.

Інші пропозиції BTS244ZE3062AATMA2 за ціною від 328.84 грн до 436.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies bts244z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.84 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies bts244z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.84 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 bts244z_ds_14.pdf
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+328.84 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 bts244z_ds_14.pdf
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+328.84 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+436.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.