Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BTS244ZE3062AATMA2
BTS244ZE3062AATMA2

BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

bts244z_ds_14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+336.89 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 108 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BTS244ZE3062AATMA2 за ціною від 336.89 грн до 336.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies bts244z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+336.89 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 BTS244ZE3062AATMA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 bts244z_ds_14.pdf
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+336.89 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3062AATMA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS244ZE3062AATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.