Продукція > INFINEON > BTS247ZE3062AATMA2

BTS247ZE3062AATMA2 Infineon


Infineon-BTS247Z+E3062A-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149f61898a21f1e&ack=t Виробник: Infineon

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BTS247ZE3062AATMA2 Infineon

Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BTS247ZE3062AATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BTS247ZE3062AATMA2
Код товару: 133040
Infineon-BTS247Z+E3062A-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149f61898a21f1e&ack=t Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BTS247ZE3062AATMA2 BTS247ZE3062AATMA2 Виробник : Infineon Technologies bts247z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BTS247ZE3062AATMA2 BTS247ZE3062AATMA2 Виробник : Infineon Technologies bts247z_ds_14.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BTS247ZE3062AATMA2 BTS247ZE3062AATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BTS247Z+E3062A-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149f61898a21f1e&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
товар відсутній
BTS247ZE3062AATMA2 BTS247ZE3062AATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BTS247Z_E3062A_DS_v01_04_EN-3361014.pdf MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
товар відсутній