BTS247ZE3062AATMA2

код товара: 133040
Производитель:
Транзисторы - Полевые N-канальные

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание BTS247ZE3062AATMA2

Цена BTS247ZE3062AATMA2 от 80.81 грн до 134.38 грн

BTS247ZE3062AATMA2
BTS247ZE3062AATMA2
Производитель: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 739 шт
срок поставки 7-15 дня (дней)
3+ 134.38 грн
10+ 112.7 грн
100+ 84.83 грн
250+ 80.81 грн
BTS247ZE3062AATMA2
BTS247ZE3062AATMA2
Производитель: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -40°C ~ 175°C (TJ); Power Dissipation (Max) : 120W (Tc); FET Feature : Temperature Sensing Diode; Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1730pF @ 25V; Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 2V @ 90µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18mOhm @ 12A, 10V; Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 33A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V; Technology : MOSFET (Metal Oxide); Part Status : Active; Packaging : Tape & Reel (TR); Package / Case : TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB; Supplier Device Package : PG-TO263-5-2
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

С этим товаром покупают

VN750B5TR-E
код товара: 38484
htmlspecialchars($datasheet_name)
VN750B5TR-E
Производитель: ST
Микросхемы - Источников питания
Корпус: P2PAK
Назначение и характеристики: Power Driver Ics
Напряжение входное, В: 36 V
Iвых., A: 6 A
Темпер. диапазон: -40…+150°C
5 шт - РАДИОМАГ-Киев
5 шт - РАДИОМАГ-Львов
3 шт - РАДИОМАГ-Харьков
5 шт - РАДИОМАГ-Одесса
5 шт - РАДИОМАГ-Днепр
30 шт - склад Киев
под заказ 17187 шт - цена и срок поставки
1+ 38.5 грн
10+ 31.5 грн