
BTS247ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 271.83 грн |
500+ | 260.68 грн |
1000+ | 245.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS247ZE3062AATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BTS247ZE3062AATMA2 за ціною від 245.46 грн до 271.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BTS247ZE3062AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
BTS247ZE3062AATMA2 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
BTS247ZE3062AATMA2 Код товару: 133040
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
BTS247ZE3062AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
BTS247ZE3062AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
BTS247ZE3062AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
BTS247ZE3062AATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |